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根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
目前，為解決硝酸在使用過程中的非敏化晶間腐蝕問題，主要選用高硅(Si ~ 4%)不銹鋼0cr18ni11si4alti、00cr20ni24si4ti、00Cr14Ni14Si4、00cr17ni15si4nb等。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛?，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
碳對(duì)晶間腐蝕有顯著影響。隨著含碳量的增加，晶間腐蝕的趨勢越來越嚴(yán)重。它不僅擴(kuò)大了晶間腐蝕趨勢的加熱溫度和時(shí)間范圍，而且加劇了晶間腐蝕程度，提高了固溶溫度。
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